Инженеры Иллинойского Университета разработали технологию памяти, расходующей в 100 раз меньше энергии, чем коммерческие образцы.
Флэш-память, широко используемая в мобильных телефонах, хранит биты информации в виде заряда, что требует высокого напряжения для выполнения задач записи и чтения. Индустрия пыталась создать альтернативу в виде материалов с изменяющейся фазой. Они быстрее, но требуют больше энергии для преодоления сопротивления материала.
Инженеры взяли эту технологию на вооружение и смогли найти способ уменьшить требуемое количество энергии в 100 раз. Вместо классических металлических проводников были задействованы углеродные нанотрубки, которые в 10 тысяч раз тоньше человеческого волоса и являются наименьшими известными электрическими проводниками.
Использование нанотрубок позволяет включать и выключать «биты» памяти подачей очень малого количества электрического тока. Профессор Эрик Поп сообщил: «При передаче электрического заряда они проявляют себя лучше, чем любой металл».
Нанотрубки также не подвержены деградации, что является известной проблемой существующих технологий на металлических проводниках, и обладают иммунитетом к случайному стиранию данных сканерами и магнитами.
Новый вид памяти важен в борьбе за увеличение срока службы аккумуляторных батарей в мобильных телефонах, всё больше использующихся для вычислительных задач с применением большого количества данных (например, для запуска приложений, прослушивания музыкальных файлов и воспроизведения видео).
Но технология не ограничивается мобильными телефонами. Она может быть задействована везде, где требуется применение батарей, а также в центрах обработки данных. Кроме того, команда инженеров не останавливается на достигнутом и собирается снизить рабочее напряжение памяти ещё по крайней мере в 10 раз.
И хотя память – не самый главный растратчик заряда аккумулятора, уменьшение расходов по этой статье всё равно даст несколько процентов выигрыша. Остаётся только рассчитывать, что стоимость производства памяти на углеродных нанотрубках окажется не слишком высока.
|